Así como la luz tiene una polarización diferente a medida que se propaga en el espacio libre, hay propiedades similares en las guías de ondas ópticas integradas, las llamamos polarización «TE» y polarización «TM». La dirección del campo eléctrico de la polarización TE en chips fotónicos de silicio es perpendicular al sustrato, mientras que la polarización TM es paralela al sustrato. La ortogonalidad del campo eléctrico implica que los dos modos no tienen diafonía mientras se propagan simultáneamente en una guía de ondas, dándose cuenta de características avanzadas como la multiplexación por división de polarización. Las guías de onda de ranura, que tienen una estructura especial en comparación con las guías de onda de tira convencionales, son insustituibles en muchas aplicaciones. Sin embargo, el intento de reducir la pérdida de inserción óptica o la reflexión en el área de transición entre la guía de ondas de ranura y la guía de ondas de banda se convierte en un problema importante.

Créditos de las fotos: Zihan Tao, Bo Wang, Bowen Bai, Ruixuan Chen, Haowen Shu, Xuguang Zhang y Xingjun Wang

Así como la luz tiene una polarización diferente a medida que se propaga en el espacio libre, hay propiedades similares en las guías de ondas ópticas integradas, las llamamos polarización «TE» y polarización «TM». La dirección del campo eléctrico de la polarización TE en chips fotónicos de silicio es perpendicular al sustrato, mientras que la polarización TM es paralela al sustrato. La ortogonalidad del campo eléctrico implica que los dos modos no tienen diafonía mientras se propagan simultáneamente en una guía de ondas, dándose cuenta de características avanzadas como la multiplexación por división de polarización. Las guías de onda de ranura, que tienen una estructura especial en comparación con las guías de onda de tira convencionales, son insustituibles en muchas aplicaciones. Sin embargo, el intento de reducir la pérdida de inserción óptica o la reflexión en el área de transición entre la guía de ondas de ranura y la guía de ondas de banda se convierte en un problema importante.

Recientemente, los investigadores dirigidos por el Prof. Xingjun Wang de la Universidad de Pekín propusieron una estructura novedosa para resolver el problema anterior. Para la región de transición, se propone una estructura novedosa como un perfil sinusoidal con un tamaño compacto (1,1 μm × 1,2 μm) para excitar el efecto de interferencia multimodo (MMI), que no solo reduce el desajuste del campo del modo óptico, sino que también tiene un tamaño de dispositivo ultracompacto. La polarización TE y la polarización TM se admiten simultáneamente. Las pérdidas de inserción para TE0 y TM0 Las polarizaciones se miden tan bajas como 0,40 y 0,64 dB respectivamente. La pérdida dependiente de la polarización es de 0,24 dB, lo que indica que el convertidor puede manejar una amplia gama de aplicaciones en las que tanto TE0 y TM0 Las polarizaciones son necesarias. Este estudio titulado «Un convertidor de modo de tira de ranura ultracompacto insensible a la polarización» se publicó en Frontiers of Optoelectronics el 2 de abril de 2022.

Referencia: Tao Z, Wang B, Bai BChen R, Shu H, Zhang X, Wang X. Un convertidor ultracompacto, insensible a la polarización y en modo de tira de ranuras. Parte delantera. optoelectrón15, 5 (2022). https://doi.org/10.1007/s12200-022-00008-5

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